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簡述
LKS1D5003D是高壓單相IPM(智能功率塊)，內(nèi)部集成高壓I℃ 以及高性能 MOSFET 適用于直流無刷BLDC和永磁同步 PMSM電機(jī)。低側(cè) MOSFET的源極可以用于電流采樣。 輸入端包含史密斯觸發(fā)器并且邏輯電平兼容 3.3V/5V/15V。 LKS1D5003D 采用 ESOP13 封裝
優(yōu)勢

    內(nèi)置高性能 500V/3A MOSFET

    內(nèi)置自舉二極管

    對于負(fù)的瞬態(tài)電壓具有高魯棒性

    門極驅(qū)動(dòng)電壓范圍支持 10V~20V

    輸入邏輯電平兼容 3.3V,5V 以及 15V

    高側(cè)和低側(cè)均支持 UVLO

    內(nèi)置死區(qū)避免上下管直通

應(yīng)用領(lǐng)域
  • 高速風(fēng)筒
  • 風(fēng)扇
  • 電動(dòng)工具
典型應(yīng)用原理圖
封裝