內(nèi)置650V 高壓 MOSFET
集成高壓?jiǎn)?dòng)
150 V 輔助供電耐壓,滿足寬輸出電壓范圍
自適應(yīng) COT 控制,快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
磁耦通信實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗,<30 mW
QR 谷底開(kāi)通,優(yōu)化效率和 EMI 特性
最高可達(dá) 140 kHz 開(kāi)關(guān)頻率
滿足 LPS (Limit Power Source) 安規(guī)要求
完備的保護(hù)功能